在光刻膠技術數據表中，會給出一些參考的曝光劑量值，通常，這里所寫的值是用單色i-線或者BB-UV曝光。正膠和負膠的光反應通常是一個單光子過程與時間沒太大關系。因此，在原則上需要多長時間(從脈沖激光的飛秒到接觸光刻的秒到激光干涉光刻的小時)并不重要，作為強度和時間的產物，作用在在光刻膠上的劑量是光強與曝光時間的產物。在增加光強和光刻膠厚度較大的時候，必須考慮曝光過程中產生的熱量和氣體（如正膠和圖形反轉膠中的N2排放）從光刻膠膜中排出時間因為熱量和氣體會導致光刻膠膜產生熱和機械損傷。襯底的反射率對光刻膠膜實際吸收的曝光強度有影響，特別是對于薄的光學光刻膠膜。玻璃晶圓的短波光強反射約10%，硅晶片反射約30%，金屬薄膜的反射系數可超過90%。哪一種曝光劑量是“比較好”也取決于光刻工藝的要求。有時候稍微欠曝光可以減小這種襯底反射帶來的負面影響。在厚膠情況下，足夠的曝光劑量是后續(xù)合理的較短顯影時間的保障。光刻技術的進步為物聯網和人工智能提供了硬件支持。MEMS材料刻蝕廠家

基于光刻工藝的微納加工技術主要包含以下過程：掩模（mask）制備、圖形形成及轉移（涂膠、曝光、顯影）、薄膜沉積、刻蝕、外延生長、氧化和摻雜等。在基片表面涂覆一層某種光敏介質的薄膜（抗蝕膠），曝光系統把掩模板的圖形投射在（抗蝕膠）薄膜上，光（光子）的曝光過程是通過光化學作用使抗蝕膠發(fā)生光化學作用，形成微細圖形的潛像，再通過顯影過程使剩余的抗蝕膠層轉變成具有微細圖形的窗口，后續(xù)基于抗蝕膠圖案進行鍍膜、刻蝕等可進一步制作所需微納結構或器件。湖北材料刻蝕工藝半導體中常見的濕法腐蝕主要可分為化學腐蝕與電化學腐蝕。

用O2等離子體對樣品整體處理，以清理顯影后可能的非望殘留。特別是負膠但也包括正膠，在顯影后會在原來膠-基板界面處殘留聚合物薄層，這個問題在結構小于1um或大深-寬比的結構中更為嚴重。當然過程中留膠厚度也會降低，但是影響不會太大。在刻蝕或鍍膜之前需要硬烤以去除殘留的顯影液和水，并退火以改善由于顯影過程滲透和膨脹導致的界面接合狀況。同時提高膠的硬度和提高抗刻蝕性。硬烤溫度一般高達120度以上，時間也在20分左右。主要的限制是溫度過高會使圖形邊緣變差以及刻蝕后難以去除。

濕法刻蝕是集成電路制造工藝采用的技術之一。雖然由于受其刻蝕的各向同性的限制，使得大部分的濕法刻蝕工藝被具有各向異性的干法刻蝕替代，但是它在尺寸較大的非關鍵層清洗中依然發(fā)揮著重要的作用。尤其是在對氧化物去除殘留與表皮剝離的刻蝕中，比干法刻蝕更為有效和經濟。濕法刻蝕的對象主要有氧化硅、氮化硅、單晶硅或多晶硅等。濕法刻蝕氧化硅通常采用氫氟酸（HF）為主要化學載體。為了提高選擇性，工藝中采用氟化銨緩沖的稀氫氟酸。為了保持pH值穩(wěn)定，可以加入少量的強酸或其他元素。摻雜的氧化硅比純氧化硅更容易腐蝕。濕法化學剝離(WetRemoval）主要是為了去除光刻膠和硬掩模（氮化硅）。熱磷酸（H3PO4）是濕法化學剝離去除氮化硅的主要化學液，對于氧化硅有較好的選擇比。在進行這類化學剝離工藝前，需要將附在表面的氧化硅用HF酸進行預處理，以便將氮化硅均勻地消除掉。光刻膠的固化過程需要精確控制溫度和時間。

鋁（Aluminium）是一種銀白色輕金屬，密度為2.70g/cm3。熔點660℃。易溶于稀硫酸、硝酸、鹽酸、氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，難溶于水。在常溫下能形成一層防止金屬腐蝕的氧化膜。鋁的濕法刻蝕溶液主要是磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液，其中，磷酸為主腐蝕液，硝酸為氧化劑、催化劑，醋酸作緩沖劑、活性劑，改善表面壓力；腐蝕液溫度越高，腐蝕速率越快。光刻工藝使用的光源為紫外全譜，之后慢慢發(fā)展到使用G線和I線紫外光作為光源。在G線和I線光刻工藝中，光刻膠的基體材料主要為酚醛樹脂，其由對甲酚、間甲酚與甲醛縮合得到，采用的感光化合物為重氮萘醌化合物。其曝光顯影機理主要為：（1）在未曝光區(qū)，重氮萘醌與光刻膠基體酚醛樹脂會形成分子間氫鍵、靜電相互作用等，從而起到抑制溶解的作用；（2）在曝光區(qū)，重氮萘醌在光照條件下分解生成羧酸，進而易與堿性的TMAH顯影液發(fā)反應，起到促進光刻膠溶解的作用。TMAH溶液相較于氫氧化鉀水溶液等堿性溶液，其不含金屬離子，在先進制程中可以減小因金屬離子帶來的缺陷問題。光刻膠的主要功能是在整個區(qū)域進行化學或機械處理工藝時，保護光刻膠下的襯底部分。湖北材料刻蝕工藝

剝離工藝（lift-off）是指在有光刻膠圖形的掩膜上鍍膜后，再去除光刻膠獲得圖案化的金屬的工藝。MEMS材料刻蝕廠家

電子束曝光指使用電子束在表面上制造圖樣的工藝，是光刻技術的延伸應用。它的特點是分辨率高、圖形產生與修改容易、制作周期短。它可分為掃描曝光和投影曝光兩大類，其中掃描曝光系統是電子束在工件面上掃描直接產生圖形，分辨率高，生產率低。投影曝光系統實為電子束圖形復印系統，它將掩模圖形產生的電子像按原尺寸或縮小后復印到工件上，因此不僅保持了高分辨率，而且提高了生產率。電子束曝光系統一般包括如下配件：電子束源：熱電子發(fā)射和場發(fā)射、電磁透鏡系統、Stage系統、真空系統、控制系統。通常來說，電子束的束斑大小決定了曝光設計線寬，設計線寬應至少為束斑的3倍以上。由于電子束的束斑大小和束流大小、光闌大小等直接的相關，而束流大小、步距等又決定了曝光時間的長短。因此，工作時需要綜合考慮決定采用的束流及工作模式。MEMS材料刻蝕廠家