MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）的重要參數(shù)可分為靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)參數(shù)和極限參數(shù)三大類，以下是關鍵參數(shù)詳解：

靜態(tài)參數(shù)?

漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）?：在柵源電壓為零時，漏源極間能承受的最大電壓，決定器件耐壓能力。 ?

開啟電壓（VGS(th)）?：使漏源極形成溝道的柵源電壓閾值，低于此值時器件處于截止狀態(tài)。

導通阻抗（RDS(on)）?：在特定柵壓下漏源極的電阻值，直接影響導通功耗。

動態(tài)參數(shù)?

跨導（gfs）?：柵源電壓變化引起的漏極電流變化率，反映控制靈敏度。 ?

開關時間?：包括開啟延遲和關斷延遲，由寄生電感/電容影響。

極限參數(shù)?比較大漏源電壓（VDSS）?：允許施加的最大工作電壓，超過會導致?lián)舸?nbsp;?

比較大柵源電壓（VGSS）?：允許的比較大驅動電壓，過高會損壞器件。

 ?比較大漏源電流（ID）?：持續(xù)工作電流上限，需結合散熱條件評估。 ?

最大耗散功率（PD）?：芯片能承受的最大功率損耗，與結溫相關。 ?

其他重要指標?熱阻（Rth）?：衡量散熱性能，影響器件穩(wěn)定性與壽命。

 ?安全工作區(qū)（SOA）?：定義脈沖電流與能量承受范圍，避免雪崩效應。

 ?參數(shù)選擇需結合具體應用場景，例如高頻開關需關注開關損耗，大功率場景需校驗熱設計 商甲半導體的MOSFET用于DC-DC轉換器、AC-DC轉換器等電源電路中，作為開關器件控制電能的轉換和傳輸。電動汽車電子元器件MOSFET產(chǎn)品選型

TO-92封裝

TO-92封裝主要適用于低壓MOS管，其電流控制在10A以下，耐壓值不超過60V。此外，高壓1N60/65也采用了這種封裝方式，旨在幫助降低產(chǎn)品成本。

TO-263封裝TO-263封裝，作為TO-220封裝的衍生品，旨在提升生產(chǎn)效率和散熱性能。它能夠支持極高的電流和電壓，特別適用于中壓大電流MOS管，其電流范圍在150A以下，電壓則超過30V。這種封裝方式在電力電子領域應用多。

TO-252封裝TO-252封裝，作為當前主流的封裝方式之一，其適用范圍多元。在高壓環(huán)境下，它能夠承受7N以下的壓力；而在中壓環(huán)境中，其電流容量則限制在70A以下。這種封裝方式因其優(yōu)越的電氣性能和穩(wěn)定性，在多個領域中得到了多個的應用。 鎮(zhèn)江12V至300V N MOSFET電子元器件MOSFETMOSFET、IGBT 選商甲半導體，專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，與優(yōu)異晶圓代工廠緊密合作。

選擇MOS管的指南

確定電壓

選擇MOS管時，電壓是一個關鍵因素。需根據(jù)實際應用場景確定所需的額定電壓以確保其安全性。額定電壓不僅影響器件的成本，還直接關系到其安全性。設計人員需要根據(jù)實際應用場景來確定所需的額定電壓，確保其能夠承受干線或總線電壓的沖擊，并留出足夠的余量以應對可能的電壓變化。

考慮電流

除了電壓外，電流也是選擇MOS管時必須考慮的因素。MOS管的額定電流需應對系統(tǒng)中的最大負載及尖峰電流，需綜合考慮電流承受能力。MOS管的額定電流必須能夠應對系統(tǒng)中的最大負載電流，以及可能出現(xiàn)的尖峰電流。需要根據(jù)電路的具體結構來決定合適的電流值。

NMOS:NMOS是一種N型場效應管，具有N型溝道和P型襯底。其工作原理是通過在柵極(G)和源極(S)之間施加正向電壓，使得P型襯底中的自由電子被吸引到柵極下方的區(qū)域，形成N型導電溝道，從而使漏極(D)和源極(S)之間導通。NMOS的導通條件是柵極電壓高于源極電壓一定值(即柵極閾值電壓)。

PMOS:PMOS是一種P型場效應管，具有P型溝道和N型襯底。其工作原理與NMOS相反，通過在柵極(G)和源極(S)之間施加反向電壓，使得N型襯底中的空穴被吸引到柵極下方的區(qū)域，形成P型導電溝道，從而使漏極(D)和源極(S)之間導通。PMOS的導通條件是柵極電壓低于源極電壓一定值(即柵極閾值電壓)。

NMOS和PMOS的優(yōu)缺點

NMOS:響應速度快，導通電阻低，價格相對較低，型號多。但在驅動中，由于源極通常接地，可能不適合所有應用場景。常用于控制燈泡、電機等無源器件，特別是在作為下管控制時更為常見。

PMOS:在驅動中較為常見，因為源極可以接電源，但存在導通電阻大、價格貴、替換種類少等問題。常用于控制芯片等有源器件特別是在作為上管控制時更為常見，以避免通信混亂和電流泄等問題。 電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）：MOSFET用于電池管理系統(tǒng)、電機驅動和車載充電器。

SGT技術：突破傳統(tǒng)MOS的性能瓶頸

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是開關電源、逆變器、電機控制等應用的重要開關器件。傳統(tǒng)平面MOS和早期溝槽MOS在追求更低導通電阻(Rds(on))和更快開關速度時，往往會面臨開關損耗(Qg,Qgd)增大、抗沖擊能力下降等矛盾。

商甲半導體采用的SGT結構技術，正是解決這一矛盾的關鍵：

屏蔽柵極結構：在傳統(tǒng)的柵極溝槽結構基礎上，創(chuàng)新性地引入了額外的“屏蔽電極”（通常是源極電位）。這一結構能有效屏蔽柵極與漏極之間的米勒電容(Cgd)，大幅降低柵極電荷(Qg,特別是Qgd)。

低柵極電荷(Qg)：降低Qg意味著驅動電路更容易驅動MOS管，減少開關過程中的導通和關斷損耗，提升系統(tǒng)整體效率，尤其在需要高頻開關的應用中優(yōu)勢明顯。

優(yōu)化導通電阻(Rds(on))：SGT結構通過優(yōu)化載流子分布和溝道設計，在同等芯片面積下，實現(xiàn)了比傳統(tǒng)溝槽MOS更低的導通電阻，降低了導通狀態(tài)下的功率損耗和發(fā)熱。

優(yōu)異的開關性能：低Qg和優(yōu)化的電容特性共同帶來了更快的開關速度和更干凈的開關波形，減少了電壓/電流應力，提升了系統(tǒng)穩(wěn)定性和EMI性能。

高可靠性：精心設計的結構有助于改善器件的雪崩耐量(Eas)和抗閂鎖能力，提高了系統(tǒng)在惡劣工況下的魯棒性。 商甲半導體，以專業(yè)立足，為 MOSFET 、IGBT、FRD產(chǎn)品選型提供支持。松江區(qū)電子元器件MOSFET規(guī)格書

在電池充電、放電電路中，MOSFET控制電流、電壓。MOSFET用于線性穩(wěn)壓器、開關穩(wěn)壓器中，穩(wěn)定的輸出電壓。電動汽車電子元器件MOSFET產(chǎn)品選型

MOS管常用封裝

隨著電子技術的不斷進步，如今主板和顯卡的PCB板更傾向于采用表面貼裝式封裝的MOSFET，而非傳統(tǒng)的直插式封裝。因此，本文將重點探討表面貼裝式封裝的MOSFET，并深入介紹MOS管的外部封裝技術、內(nèi)部封裝改進技術、整合式DrMOS、MOSFET的發(fā)展趨勢以及具體的MOSFET實例等。接下來，我們將對標準的封裝形式進行概述，包括TO（晶體管輪廓）封裝等。

TO（TransistorOut-line）即“晶體管外形”，是一種早期的封裝規(guī)格。其中，TO-92、TO-92L、TO-220以及TO-252等都是采用插入式封裝設計。

隨著表面貼裝市場的需求不斷增長，TO封裝也逐漸演進為表面貼裝式封裝。特別是TO252和TO263，這兩種表面貼裝封裝方式得到了廣泛應用。值得注意的是，TO-252也被稱為D-PAK，而TO-263則被稱為D2PAK。

SOT（Small Out-Line Transistor）封裝，即“小外形晶體管封裝”，是一種貼片型小功率晶體管封裝方式。相較于傳統(tǒng)的TO封裝，其體積更為緊湊，特別適用于小功率MOSFET的封裝需求。 電動汽車電子元器件MOSFET產(chǎn)品選型