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想象一下傳統(tǒng)的電燈開關(guān)，其工作原理是簡單的機械接觸與斷開。然而，在高速運轉(zhuǎn)的手機和電腦芯片中，這樣的開關(guān)顯然無法滿足需求，因為它們速度太慢、體積太大且耗電過多。因此，我們需要一種全新的開關(guān)來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。這種開關(guān)需要具備以下特點：速度極快，每秒能完成數(shù)十億次的開關(guān)動作；體積超小，細如發(fā)絲，能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個這樣的開關(guān)；耗電極低，幾乎不消耗電能；以及控制靈敏，能通過微小的電信號來控制大電流的通斷。幸運的是，MOSFET晶體管正是這樣一種“超級電子開關(guān)”。商甲半導(dǎo)體的MOSFET用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器等電源電路中，作為開關(guān)器件控制電能的轉(zhuǎn)換和傳輸。電池管理系統(tǒng)電子元器...

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計公司,專業(yè)從事各類高性能MOSFET、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售?？偛课挥诮K省無錫市經(jīng)開區(qū),是無錫市太湖人才計劃重點引進項目。 MOSFET根據(jù)閾值電壓特性分為增強型和耗盡型兩類 增強型：在零柵極電壓時處于關(guān)閉狀態(tài)，需施加正電壓才能形成導(dǎo)電通道； 耗盡型：在零柵極電壓時已存在導(dǎo)電通道，需施加負電壓才能關(guān)閉通道。 MOSFET是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中采用得的半導(dǎo)體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現(xiàn)代微電子技術(shù)的基石。尤其在數(shù)字邏輯電路中，MOSFET的開關(guān)特性為二進制計算提供了物理基礎(chǔ)。 商甲半導(dǎo)體...

20V產(chǎn)品主要用于手機、移動電源、可穿戴設(shè)備及消費類領(lǐng)域； 30V產(chǎn)品主要用于PC主板和顯卡、馬達驅(qū)動、BMS、電動工具、無線充； 40V產(chǎn)品主要用于無人機、BMS、電動工具、汽車電子； 60V產(chǎn)品主要用于馬達控制、BMS、UPS、汽車雨刷、汽車音響； 80-250V產(chǎn)品主要用于低壓系統(tǒng)新能源汽車、馬達驅(qū)動、逆變器、儲能、BMS、LED、PD Charger；600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車； 公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計與營...

SGT MOS管是國產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對嚴苛的能效挑戰(zhàn)，還是實現(xiàn)高頻小型化設(shè)計，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強大的“芯”實力，成為工程師設(shè)計下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計與營銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅持“質(zhì)...

場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點：貼片場效應(yīng)管場效應(yīng)管 1：場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。 3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。 4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極小；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時輸入電流較大。 ...

MOS管選型指南 封裝因素考量 封裝方式影響散熱性能和電流承載能力，選擇需考慮系統(tǒng)散熱條件和環(huán)境溫度。在構(gòu)成開關(guān)電路時，不同尺寸的MOS管封裝會影響其熱阻和耗散功率。因此，必須綜合考慮系統(tǒng)的散熱條件、環(huán)境溫度以及散熱器的形狀和大小限制?；驹瓌t是，在確保功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率不受影響的前提下，選擇參數(shù)和封裝更為通用的功率MOS管。在開關(guān)電路的設(shè)計中，我們常常需要關(guān)注MOS管的封裝方式。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，可以選擇不同類型的封裝。例如，插入式封裝包括TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251和TO-92等；而表面貼裝式封裝則涵蓋TO-263、TO-...

選擇合適的MOSFET是一個涉及多個因素的決策過程，這些因素包括但不限于器件的類型（N溝道或P溝道）、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET： 1.確定MOSFET的類型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用中更為常見（用于開關(guān)對地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用（用于對電源導(dǎo)通）。 2.選擇封裝類型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度...

無錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計公司,專業(yè)從事各類高性能MOSFET、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售?？偛课挥诮K省無錫市經(jīng)開區(qū),是無錫市太湖人才計劃重點引進項目。 MOSFET根據(jù)閾值電壓特性分為增強型和耗盡型兩類 增強型：在零柵極電壓時處于關(guān)閉狀態(tài)，需施加正電壓才能形成導(dǎo)電通道； 耗盡型：在零柵極電壓時已存在導(dǎo)電通道，需施加負電壓才能關(guān)閉通道。 MOSFET是大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中采用得的半導(dǎo)體器件，其高集成度、低功耗和高可靠性使其成為現(xiàn)代微電子技術(shù)的基石。尤其在數(shù)字邏輯電路中，MOSFET的開關(guān)特性為二進制計算提供了物理基礎(chǔ)。 商甲半導(dǎo)體...

TO-92封裝 TO-92封裝主要適用于低壓MOS管，其電流控制在10A以下，耐壓值不超過60V。此外，高壓1N60/65也采用了這種封裝方式，旨在幫助降低產(chǎn)品成本。 TO-263封裝TO-263封裝，作為TO-220封裝的衍生品，旨在提升生產(chǎn)效率和散熱性能。它能夠支持極高的電流和電壓，特別適用于中壓大電流MOS管，其電流范圍在150A以下，電壓則超過30V。這種封裝方式在電力電子領(lǐng)域應(yīng)用多。 TO-252封裝TO-252封裝，作為當(dāng)前主流的封裝方式之一，其適用范圍多元。在高壓環(huán)境下，它能夠承受7N以下的壓力；而在中壓環(huán)境中，其電流容量則限制在70A以下。這種封裝方式因其...

針對無刷電機中MOS管的應(yīng)用，推薦使用商甲半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列， 其優(yōu)勢：采用SGT 工藝，突破性的FOM優(yōu)化，覆蓋更多的應(yīng)用場景；極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率?？筛鶕?jù)客戶方案需求，對應(yīng)器件選型檔位，進行支持。 采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計及工藝制造技術(shù)，提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時降低了器件的特征導(dǎo)通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,可廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動，同步整流等領(lǐng)域中。隨著無人機技術(shù)的迅猛發(fā)展和廣泛應(yīng)用，對于低壓MOS技術(shù)的需求將進一步增加。無人機領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，它將為無人機的性能提升、功能拓展和安全保障...

SGT MOS管是國產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對嚴苛的能效挑戰(zhàn)，還是實現(xiàn)高頻小型化設(shè)計，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強大的“芯”實力，成為工程師設(shè)計下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計與營銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅持“質(zhì)...

場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點：貼片場效應(yīng)管場效應(yīng)管 1：場效應(yīng)管是電壓控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件，管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2：場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量，晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。 3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。 4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極??；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時輸入電流較大。 ...

QFN封裝的四邊均配置有電極接點 即四邊無引線扁平封裝，是一種新興的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。其特點在于焊盤尺寸小、體積緊湊，且采用塑料作為密封材料。如今，該技術(shù)常被稱作LCC。 因其無引線設(shè)計，使得貼裝時的占地面積相較于QFP更小，同時高度也更為低矮。此外，這種封裝形式還被稱為LCC、PCLC、P-LCC等。起初，QFN主要應(yīng)用于集成電路的封裝，然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，MOSFET也開始采用這種封裝技術(shù)。特別是INTEL提出的整合驅(qū)動與MOSFET的DrMOS技術(shù)，就采用了QFN-56封裝，其中56表示芯片背面有56個連接Pin。 MOSFET、IGBT 選商甲半導(dǎo)體，專業(yè)供應(yīng)商，...

MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的重要參數(shù)可分為靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)參數(shù)和極限參數(shù)三大類，以下是關(guān)鍵參數(shù)詳解： 靜態(tài)參數(shù)? 漏源擊穿電壓（V(BR)DSS）?：在柵源電壓為零時，漏源極間能承受的最大電壓，決定器件耐壓能力。 ? 開啟電壓（VGS(th)）?：使漏源極形成溝道的柵源電壓閾值，低于此值時器件處于截止?fàn)顟B(tài)。 導(dǎo)通阻抗（RDS(on)）?：在特定柵壓下漏源極的電阻值，直接影響導(dǎo)通功耗。 動態(tài)參數(shù)? 跨導(dǎo)（gfs）?：柵源電壓變化引起的漏極電流變化率，反映控制靈敏度。 ? 開關(guān)時間?：包括開啟延遲和關(guān)斷延遲，由寄生電感/電容影響。 ...

你或許曾好奇，為何手機電源鍵輕按一下，便能喚醒沉睡的屏幕？又或是電腦CPU如何以每秒數(shù)十億次的速度處理紛繁復(fù)雜的指令？這些奇跡背后的推手，正是那默默無聞卻無處不在的MOSFET。它仿佛是電子世界的智能守護者，精細調(diào)控著電流的流動，成為現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的部分。MOSFET，作為芯片的基礎(chǔ)構(gòu)件，承載著數(shù)字電路中0與1的切換使命。它擁有三個關(guān)鍵電極：源極、柵極和漏極。 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電子設(shè)備的重要組件，其重要性不言而喻。它在電子設(shè)備中精細調(diào)控電流的流動，是幕后“功臣”。MOSFET在制造過程中，源極、柵極和漏極的布局與連接被視為至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。這些...

想象一下傳統(tǒng)的電燈開關(guān)，其工作原理是簡單的機械接觸與斷開。然而，在高速運轉(zhuǎn)的手機和電腦芯片中，這樣的開關(guān)顯然無法滿足需求，因為它們速度太慢、體積太大且耗電過多。因此，我們需要一種全新的開關(guān)來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。這種開關(guān)需要具備以下特點：速度極快，每秒能完成數(shù)十億次的開關(guān)動作；體積超小，細如發(fā)絲，能在指甲大小的芯片上集成數(shù)十億個這樣的開關(guān)；耗電極低，幾乎不消耗電能；以及控制靈敏，能通過微小的電信號來控制大電流的通斷。幸運的是，MOSFET晶體管正是這樣一種“超級電子開關(guān)”。商甲半導(dǎo)體提供的20V~100V Complementary（N+P型互補式）MOSFET產(chǎn)品。12V至300V N MOSFET...

如何選擇合適的MOSFET管 1.考慮開關(guān)特性：包括柵極電荷(Qg)、輸入電容(Ciss)等參數(shù)，這些參數(shù)影響MOSFET的開關(guān)速度和損耗，特別是在高速開關(guān)系統(tǒng)，必須確認MOS的導(dǎo)通和關(guān)斷速度。 2.使用在線工具簡化選型：一些電子元件供應(yīng)商提供了在線篩選器，可以根據(jù)電壓、電流、封裝等參數(shù)快速篩選合適的MOSFET。 3.查看數(shù)據(jù)手冊：在選擇之前，仔細閱讀MOSFET的數(shù)據(jù)手冊，了解其電氣特性和工作條件。 4考慮品牌和成本：根據(jù)項目預(yù)算和對品牌的信任度，選擇信譽良好的品牌。目前，功率半導(dǎo)體的發(fā)展非常迅速，SIC，IGBT等隨電動汽車的發(fā)展快速發(fā)展，成本是其中非常重要的...

選擇合適的MOSFET是一個涉及多個因素的決策過程，這些因素包括但不限于器件的類型（N溝道或P溝道）、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET： 1.確定MOSFET的類型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用中更為常見（用于開關(guān)對地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用（用于對電源導(dǎo)通）。 2.選擇封裝類型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度...

場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。 場效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護二極管，但稍不注意，也會損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。 場效應(yīng)管與晶體管的比較 （1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。...

MOSFET，全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電子領(lǐng)域中極為關(guān)鍵的一種元件。那么，MOSFET是否屬于芯片的一種呢？答案是肯定的。從廣義上來講，芯片是指內(nèi)含集成電路的硅片，而MOSFET正是由硅材料制成，內(nèi)含復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的電子元件，因此可以歸類為芯片的一種。 MOSFET不僅是一種高性能的電子元件，同時也屬于芯片的一種。其制造工藝復(fù)雜，涉及多個精密的步驟和環(huán)節(jié)，對技術(shù)和設(shè)備都有非常高的要求。每一步的精細控制都是為了確保最終產(chǎn)品的性能與穩(wěn)定性，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效、低功耗的需求。隨著科技的不斷進步，MOSFET的制造工藝將繼續(xù)優(yōu)化，為未來的電子產(chǎn)品帶來更多可能性。 MOS...

選擇合適的MOSFET是一個涉及多個因素的決策過程，這些因素包括但不限于器件的類型（N溝道或P溝道）、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET： 1.確定MOSFET的類型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用中更為常見（用于開關(guān)對地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用（用于對電源導(dǎo)通）。 2.選擇封裝類型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度...

SGT MOS管是國產(chǎn)功率半導(dǎo)體在先進技術(shù)領(lǐng)域的突破。它將低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷、優(yōu)異開關(guān)性能與高可靠性集于一身，是追求效率和功率密度的現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的理想選擇。無論是應(yīng)對嚴苛的能效挑戰(zhàn)，還是實現(xiàn)高頻小型化設(shè)計，亦或是構(gòu)建更穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管都展現(xiàn)出強大的“芯”實力，成為工程師設(shè)計下一代高效能產(chǎn)品的有力武器。 選擇商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管，就是選擇高效、可靠、自主可控的功率解決方案。 600V以上產(chǎn)品主要用于工業(yè)電源、并網(wǎng)逆變、充電樁、家電、高壓系統(tǒng)新能源汽車；公司秉承：“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計與營銷，參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景，堅持“質(zhì)...