通過大量海量熱圖像數(shù)據(jù)，催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學習算法，構(gòu)建熱圖像識別模型，可快速準確地從復雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點，有效縮短分析時間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集成熱傳導數(shù)值模擬功能，結(jié)合實驗測得的熱數(shù)據(jù)，反演材料內(nèi)部熱導率、比熱容等參數(shù)，從熱傳導理論層面深入解析熱現(xiàn)象，為材料熱性能研究與器件熱設計提供量化指導。鎖相檢測模塊功能是通過與電激勵信號的同步鎖相處理，從熱像序列中提取與激勵頻率一致的溫度波動分量。半導體鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修

蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的RTTLIT （實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)），該技術(shù)的溫度靈敏度極高，部分型號甚至可達 0.0001℃，功率檢測限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號變化，哪怕是芯片內(nèi)部極為微小的漏電或局部發(fā)熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測能力在半導體器件、晶圓、集成電路等對精度要求極高的領(lǐng)域中具有無可比擬的優(yōu)勢，能夠幫助工程師快速、準確地定位故障點，較大程度上的縮短了產(chǎn)品研發(fā)和故障排查的時間。熱發(fā)射顯微鏡鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用戶體驗高靈敏度鎖相熱成像技術(shù)能夠檢測到極微小的熱信號，可檢測低至uA級漏電流或微短路缺陷。

鎖相頻率越高，得到的空間分辨率則越高。然而，對于鎖相紅外熱成像系統(tǒng)來說，較高的頻率往往會降低待檢測的熱發(fā)射。這是許多 LIT系統(tǒng)的限制。RTTLIT系統(tǒng)通過提供一個獨特的系統(tǒng)架構(gòu)克服了這一限制，在該架構(gòu)中，可以在"無限"的時間內(nèi)累積更高頻率的 LIT 數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集持續(xù)延長，數(shù)據(jù)分辨率提高。系統(tǒng)采集數(shù)據(jù)的時間越長，靈敏度越高。當試圖以極低的功率級采集數(shù)據(jù)或必須從弱故障模式中采集數(shù)據(jù)時，鎖相紅外熱成像RTTLIT系統(tǒng)的這一特點尤其有價值。

鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過程中也面臨著一些技術(shù)難點，其中如何優(yōu)化熱激勵方式與信號處理算法是問題。熱激勵方式的合理性直接影響檢測的靈敏度和準確性，不同的被測物體需要不同的激勵參數(shù)；而信號處理算法則決定了能否從復雜的信號中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進行探索和創(chuàng)新，通過改進光源調(diào)制頻率，使其更適應不同檢測場景，開發(fā)多頻融合算法，提高信號處理的效率和精度等方式，持續(xù)提升系統(tǒng)的檢測速度與缺陷識別精度。未來，隨著新型材料的研發(fā)和傳感器技術(shù)的不斷進步，鎖相熱成像系統(tǒng)的性能將進一步提升，其應用領(lǐng)域也將得到的拓展，為更多行業(yè)帶來技術(shù)革新。
紅外熱像儀捕獲這些溫度變化，通過鎖相技術(shù)提取微弱的有用信號，提高檢測靈敏度。

這款一體化設備的核心競爭力，在于打破了兩種技術(shù)的應用邊界。熱紅外顯微鏡擅長微觀尺度的熱分布成像，能通過高倍率光學系統(tǒng)捕捉芯片表面微米級的溫度差異；鎖相紅外熱成像系統(tǒng)則依托鎖相技術(shù)，可從環(huán)境噪聲中提取微弱的周期性熱信號，實現(xiàn)納米級缺陷的精細定位。致晟光電通過硬件集成與算法優(yōu)化，讓兩者形成 “1+1＞2” 的協(xié)同效應 —— 既保留熱紅外顯微鏡的微觀觀測能力，又賦予其鎖相技術(shù)的微弱信號檢測優(yōu)勢，無需在兩種設備間切換即可完成從宏觀掃描到微觀定位的全流程分析。利用鎖相放大器或相關(guān)算法，將熱像序列中每個像素的溫度信號與激勵參考信號進行相關(guān)運算得到振幅與相位。半導體鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修

電激勵強度可控，保護鎖相熱成像系統(tǒng)檢測元件。半導體鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應用上形成巧妙互補，能夠協(xié)同應對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨特優(yōu)勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。半導體鎖相紅外熱成像系統(tǒng)故障維修