為了讓客戶對設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場驗(yàn)貨。您可以親臨我們的實(shí)驗(yàn)室，近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié)，親身操作查驗(yàn)設(shè)備的運(yùn)行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺(tái)設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購前就能對設(shè)備的實(shí)際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購設(shè)備總擔(dān)心實(shí)際性能和描述有差距，在致晟光電現(xiàn)場驗(yàn)貨時(shí)，工作人員耐心陪同我們測試，設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期，這下采購心里踏實(shí)多了?！碑?dāng)金屬層遮擋導(dǎo)致 OBIRCH 等無法偵測故障時(shí)，微光顯微鏡可進(jìn)行補(bǔ)充檢測。檢測用微光顯微鏡新款

在半導(dǎo)體 MEMS 器件檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借其超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價(jià)值。MEMS 器件的結(jié)構(gòu)往往以微米級(jí)尺度存在，這些微小部件在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生極其微弱的紅外輻射變化 —— 這種信號(hào)強(qiáng)度常低于常規(guī)檢測設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡及時(shí)捕捉。通過先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換與信號(hào)放大技術(shù)，微光設(shè)備將捕捉到的紅外輻射信號(hào)轉(zhuǎn)化為直觀的動(dòng)態(tài)圖像。通過圖像分析工具，可量化提取結(jié)構(gòu)的位移幅度、振動(dòng)頻率等關(guān)鍵參數(shù)。這種檢測方式突破了傳統(tǒng)接觸式測量對微結(jié)構(gòu)的干擾問題。鎖相微光顯微鏡與光學(xué)顯微鏡對比我司自主研發(fā)的桌面級(jí)設(shè)備其緊湊的機(jī)身設(shè)計(jì)，可節(jié)省實(shí)驗(yàn)室空間，適合在小型研發(fā)機(jī)構(gòu)或生產(chǎn)線上靈活部署。

RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備，其系統(tǒng)搭載 -80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡 ，構(gòu)建起超高靈敏度檢測體系 —— 可準(zhǔn)確捕捉器件在微弱漏電流下產(chǎn)生的極微弱微光信號(hào)，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)缺陷的可視化成像。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設(shè)備能快速定位漏電缺陷并完成深度分析，為工程師提供直觀的缺陷數(shù)據(jù)支撐，助力優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性。從芯片研發(fā)到量產(chǎn)質(zhì)控，RTTLIT E20 以穩(wěn)定可靠的性能，為半導(dǎo)體器件全生命周期的質(zhì)量保障提供科學(xué)解決方案，是半導(dǎo)體行業(yè)提升良率的關(guān)鍵檢測利器。

當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷，如結(jié)漏電、氧化層漏電時(shí)，電子-空穴對復(fù)合會(huì)釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復(fù)合異常情況，像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效，以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會(huì)導(dǎo)致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區(qū)域因設(shè)計(jì)缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常，以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應(yīng)發(fā)生時(shí)也會(huì)產(chǎn)生光子，在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點(diǎn)。

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對芯片進(jìn)行正面檢測（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)（如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷）。在實(shí)際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域，隨后結(jié)合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察，進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機(jī)理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán)，使得PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件與集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了關(guān)鍵的應(yīng)用。漏電結(jié)和接觸毛刺會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)，這些亮點(diǎn)產(chǎn)生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。制冷微光顯微鏡原理

分析低阻抗短路時(shí)，微光顯微鏡可用于未開蓋樣品測試，還能定位大型 PCB 上金屬線路及元器件失效點(diǎn)。檢測用微光顯微鏡新款

選擇國產(chǎn) EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術(shù)自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢！致晟光電全本土化研發(fā)實(shí)力，與南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院深度攜手，致力于光電技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢，構(gòu)建起產(chǎn)學(xué)研深度融合的技術(shù)研發(fā)體系。

憑借這一堅(jiān)實(shí)后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實(shí)現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號(hào)，漏電缺陷定位精度與國際設(shè)備同步，讓每一個(gè)細(xì)微失效點(diǎn)無所遁形。 檢測用微光顯微鏡新款