OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時，產(chǎn)生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵測到，借助近紅外光進(jìn)行檢測。。半導(dǎo)體微光顯微鏡訂制價格

當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷，如結(jié)漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復(fù)合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復(fù)合異常情況，像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效，以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會導(dǎo)致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區(qū)域因設(shè)計(jì)缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常，以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 非制冷微光顯微鏡探測器為提升微光顯微鏡探測力，我司多種光學(xué)物鏡可選，用戶可依樣品工藝與結(jié)構(gòu)選裝，滿足不同微光探測需求。

在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當(dāng)芯片施加工作偏壓時，設(shè)備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會釋放微弱的紅外輻射，即便輻射功率為 1 微瓦，高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于，通過熱成像技術(shù)將漏電點(diǎn)的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖，再與電路版圖進(jìn)行疊加分析，可實(shí)現(xiàn)漏電點(diǎn)的微米級精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段，微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測，既避免了對芯片的二次損傷，又能在不干擾正常電路工作的前提下，捕捉到漏電區(qū)域的細(xì)微熱信號。

同時，我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行深入交流。在這里，我們的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程，從基礎(chǔ)功能到高級應(yīng)用，一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對您在設(shè)備選型、使用場景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問，我們也會給予細(xì)致入微的解答，讓您對失效分析領(lǐng)域掌握設(shè)備優(yōu)勢與適用范圍。

這種面對面的深度溝通，旨在讓合作過程更加透明，讓您對我們的產(chǎn)品與服務(wù)更有信心，合作也更顯安心。 半導(dǎo)體失效分析中，微光顯微鏡可偵測失效器件光子，定位如 P-N 接面漏電等故障點(diǎn)，助力改進(jìn)工藝、提升質(zhì)量。

可探測到亮點(diǎn)的情況

一、由缺陷導(dǎo)致的亮點(diǎn)結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理損傷（Mechanical Damage）等。

二、器件本身固有的亮點(diǎn)飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 MOS 管 / 動態(tài) CMOS（Saturated MOS/Dynamic CMOS）正向偏置二極管 / 反向偏置二極管（擊穿狀態(tài)）（Forward Biased Diodes / Reverse Biased Diodes (Breakdown)）等。 晶體管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。無損微光顯微鏡價格走勢

微光顯微鏡在 LED 故障分析中作用關(guān)鍵，可檢測漏電倒裝、短路倒裝及漏電垂直 LED 芯片的異常點(diǎn)。半導(dǎo)體微光顯微鏡訂制價格

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當(dāng)對樣品施加合適的電壓時，其失效點(diǎn)會由于載流子加速散射或電子-空穴對復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進(jìn)行疊加處理，就可以精確地定位發(fā)光點(diǎn)的位置，實(shí)現(xiàn)對失效點(diǎn)的精確定位。進(jìn)一步地，為了提升定位的準(zhǔn)確性，可采用多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強(qiáng)信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術(shù)，突出顯示發(fā)光點(diǎn)的邊緣特征，從而提高定位精度。半導(dǎo)體微光顯微鏡訂制價格