雙向可控硅（TRIAC，Triode for Alternating Current）是一種特殊的半導(dǎo)體開關(guān)器件，能夠雙向?qū)ń涣麟娏?。雙向可控硅的工作原理基于內(nèi)部?jī)蓚€(gè)反并聯(lián)的單向可控硅結(jié)構(gòu)。當(dāng) T2 接正、T1 接負(fù)時(shí)，門極加正向觸發(fā)信號(hào)，左側(cè)單向可控硅導(dǎo)通；當(dāng) T1 接正、T2 接負(fù)時(shí)，門極加反向觸發(fā)信號(hào)，右側(cè)單向可控硅導(dǎo)通。導(dǎo)通后，主電流通過時(shí)產(chǎn)生的壓降維持導(dǎo)通狀態(tài)。在交流電路中，電流每半個(gè)周期過零時(shí)自動(dòng)關(guān)斷，若需持續(xù)導(dǎo)通，需在每個(gè)半周施加觸發(fā)信號(hào)。這種雙向?qū)C(jī)制使其能便捷地控制交流負(fù)載的通斷與功率。 Infineon英飛凌可控硅具有極低的導(dǎo)通損耗，可顯著提高能源轉(zhuǎn)換效率。英飛凌可控硅供應(yīng)公司

雙向可控硅（TRIAC，Triode for Alternating Current）是一種特殊的半導(dǎo)體開關(guān)器件，能夠雙向?qū)ń涣麟娏?，廣泛應(yīng)用于交流調(diào)壓、電機(jī)控制、燈光調(diào)節(jié)等領(lǐng)域。雙向可控硅應(yīng)用中需設(shè)計(jì)保護(hù)電路以防損壞。過電壓保護(hù)可并聯(lián)RC吸收電路，抑制開關(guān)過程中的尖峰電壓；過電流保護(hù)可串聯(lián)快速熔斷器，限制故障電流。針對(duì)浪涌電壓，可加裝壓敏電阻，吸收瞬時(shí)過電壓。門極保護(hù)需串聯(lián)限流電阻，防止過大觸發(fā)電流損壞門極。合理的散熱設(shè)計(jì)也至關(guān)重要，通過散熱片降低結(jié)溫，避免過熱失效。 英飛凌可控硅價(jià)位多少可控硅模塊的觸發(fā)方式有直流、脈沖和交流等。

單向可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是**基礎(chǔ)的可控硅類型，其重要特點(diǎn)是只允許電流單向流動(dòng)，即從陽極（A）到陰極（K）。這種器件通過門極（G）觸發(fā)后，只有在正向偏置條件下才能維持導(dǎo)通，反向時(shí)則完全阻斷。SCR廣泛應(yīng)用于直流電路或交流半波整流，如電鍍電源、電池充電器等場(chǎng)景。典型型號(hào)如2N5060（1A/100V）和TYN612（12A/600V）。相比之下，雙向可控硅（TRIAC）可視為兩個(gè)反向并聯(lián)的SCR，能同時(shí)控制交流電的正負(fù)半周。這種特性使其成為交流調(diào)光、電機(jī)調(diào)速等應(yīng)用的理想選擇，如BT136（4A/600V）和BTA41（40A/800V）。從結(jié)構(gòu)上看，TRIAC雖然集成度更高，但其開關(guān)速度和dv/dt耐受能力通常略遜于SCR。

在工業(yè)領(lǐng)域，英飛凌大功率可控硅被廣泛應(yīng)用于各種大型設(shè)備。在鋼鐵冶煉行業(yè)，大功率可控硅用于控制電弧爐的電流，精確調(diào)節(jié)爐內(nèi)溫度。英飛凌的大功率可控硅能夠承受極高的電流和電壓，確保電弧爐在長(zhǎng)時(shí)間、高負(fù)荷的工作狀態(tài)下穩(wěn)定運(yùn)行。在電解鋁生產(chǎn)中，可控硅整流裝置為電解槽提供穩(wěn)定的直流電源，英飛凌產(chǎn)品的高可靠性和低導(dǎo)通損耗，不僅保證了電解過程的高效進(jìn)行，還降低了能源消耗。在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面，英飛凌大功率可控硅用于變頻器，能夠根據(jù)電機(jī)的實(shí)際負(fù)載需求，靈活調(diào)節(jié)輸出頻率和電壓，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效節(jié)能運(yùn)行，提高了工業(yè)生產(chǎn)的自動(dòng)化水平和能源利用效率。 賽米控可控硅模塊通過嚴(yán)格的工業(yè)級(jí)認(rèn)證，可在-40℃至+125℃溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。

10A以下的小功率器件通常依賴自然對(duì)流散熱，如Diodes公司的BTA204X-600C（4A/600V）的TO-252封裝。功率（10-100A）模塊如FujiElectric的6RI200E-060需加裝散熱片，熱阻（Rth(j-a)）約1.5℃/W。而大功率模塊如Infineon的FZ1500R33HE3（1500A/3300V）必須采用強(qiáng)制水冷，冷卻液流量需≥8L/min才能控制結(jié)溫。特別地，新型相變冷卻模塊如三菱的LV100系列使用沸點(diǎn)45℃的氟化液，散熱能力比水冷提升3倍，但系統(tǒng)復(fù)雜度大幅增加。散熱設(shè)計(jì)需遵循"結(jié)溫≤125℃"的紅線，否則每升高10℃壽命減半。 可控硅模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)對(duì)稱性影響動(dòng)態(tài)均壓效果。英飛凌可控硅供應(yīng)公司

可控硅模塊常用于燈光調(diào)光和加熱控制。英飛凌可控硅供應(yīng)公司

標(biāo)準(zhǔn)可控硅的關(guān)斷時(shí)間（tq）通常在50-100μs范圍，適用于工頻（50/60Hz）應(yīng)用，如IXYS的MCR100系列。而快速可控硅通過優(yōu)化載流子壽命和結(jié)電容，將tq縮短至10μs以內(nèi)，典型型號(hào)如SKKH106/16E（tq=8μs），這類器件能勝任1kHz以上的中頻逆變、感應(yīng)加熱等場(chǎng)景。在結(jié)構(gòu)上，快恢復(fù)可控硅采用鉑或電子輻照摻雜技術(shù)降低少子壽命，但會(huì)略微增加導(dǎo)通壓降（約0.2V）。此外，門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）通過特殊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了主動(dòng)關(guān)斷能力，如Toshiba的SG3000HX24（3000A/4500V），雖然驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，但在高壓直流輸電（HVDC）等超高壓領(lǐng)域不可替代。選擇時(shí)需權(quán)衡開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗的平衡。 英飛凌可控硅供應(yīng)公司