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北京高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體研發(fā)

來源: 發(fā)布時間:2022-10-08

YbYAG晶體的優(yōu)勢:1、光學品質優(yōu)良。2、斜率效率高。3、激光上能級無激發(fā)態(tài)自吸收和上轉換。4、吸收線寬。5、熱導性能和機械性能好。6、能方便的用InGaAs二極管泵浦。YbYAG是一種在釔鋁石榴石晶體中摻有三價離子的激光晶體,可發(fā)射1030 nm近紅外激光。YbYAG晶體具有量子效率高,無激發(fā)態(tài)吸收和上轉換,高濃度耐受性,熒光壽命長,吸收帶寬,發(fā)射范圍寬,光學,機械和熱學性能強等特點。在高效率,高功率二極管泵浦固態(tài)激光器中的潛在應用。用引上法生長的YbYAG晶體中,存在一個獨特的色心。北京高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體研發(fā)

本發(fā)明的技術解決方案如下一種YbYAG激光晶體的生長方法,所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐,其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻,置于銥坩堝中,裝爐.下文是和YbYAG晶體相關的一些知識的介紹,如果感興趣的就一起來看看吧,YbYAG激光晶體開裂的理論分析,采用提拉法,生長了Yb3+摻雜濃度為5at.%的YbYAG晶體,對晶體生長工藝進行了研究。較佳工藝參數:放肩和等徑生長速率分別為0.Smm/h和1mm/h。轉速為15rad/min,軸向溫度梯度為0.01-0.05℃/mm。從理論上分析了生長速率、轉速、熱應力、晶體尺寸對晶體開裂的影響規(guī)律。河南提拉法生長YbYAG晶體直銷bYAG晶體光纖和晶體細棒實現了平均功率大于70W的高效超快激光輸出。

YbYAG晶體在近940 nm處有一個寬的泵浦帶,比808 nm的Nd:YAG晶體寬10倍以上。Yb3+:KGW晶體具有較大的增益帶寬,能夠在鎖模工作模式下獲得<100 fs的脈沖持續(xù)時間。與具有類似的大增益帶寬的其他摻y(tǒng)b增益介質相比,摻y(tǒng)b鎢酸鹽具有相當高的發(fā)射截面。yb3+:caf2是用于短脈沖,高能量,高功率二極管泵浦固態(tài)激光器開發(fā)的研究多且有希望的晶體之一。YbKYW晶體中的Yb摻雜濃度可能很高,而不會發(fā)生明顯的淬滅。常見的雙鎢酸鹽的熱導率范圍為3-4 Wm-1K-1。

YbYAG晶體的生長裝置:晶體提拉法的裝置由以下部分組成:加熱系統(tǒng):加熱系統(tǒng)由加熱、保溫、控溫三部分構成。較常用的加熱裝置分為電阻加熱和高頻線圈加熱兩大類。本次操作所采用的高頻線圈加熱,依靠的是高頻強電流流向環(huán)狀線圈,產生的強磁束會貫通銥金坩堝,坩堝內產生相對應的渦電流和強大的焦耳熱,使晶體溫度迅速上升。保溫裝置通常采用金屬材料以及耐高溫材料等做成的熱屏蔽罩和保溫隔熱層。其主要由傳感器、控制器等精密儀器進行操作和控制。YbYAG晶體熱效率低、適合LD泵浦。

對具有高光束質量輸出的晶體波導激光器的芯徑增大方法進行了理論計算和實驗驗證。通過模擬計算各個導模的相對增益,在考慮模式競爭的情況下,采用Yb原子數分數為1.0% 的YbYAG作為芯層材料,Er原子數分數為0.5%的ErYAG作為內包層材料,芯層的基模截止厚度可以達到360μm,相當于傳統(tǒng)計算方法的兩倍。采用擴散鍵合技術,制備了芯層尺寸為400μm×320μm×77 mm的晶體波導,并搭建了波導激光器,得到了較大輸出功率為31 W,光-光轉換效率為55.3%,光束質量為1.2×1.05的近衍射極限激光輸出。實驗結果證實了利用模式競爭計算晶體波導基模芯徑的可靠性。YbYAG晶體發(fā)光快成分衰減常數為1.2 ns。上海高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體批發(fā)廠家

由于Yb3+離子摻雜引起的晶格結構畸變導致了YbYAG晶體光譜性質的改變。北京高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體研發(fā)

在高倍率光學顯微鏡下觀察YbYAG單晶光纖,可該光纖外形均勻規(guī)則,且生長狀態(tài)穩(wěn)定,透明性較高。高長徑比的YbYAG單晶光纖,展現出的柔性特征將有利于實現全固態(tài)、高緊湊性的高功率激光器件。后續(xù)通過不斷優(yōu)化單晶光纖的質量,將大幅推進單晶光纖作為高性能光功能材料的實用化進程。摻鐿釔鋁石榴石晶體,化學式:YbYAG,具有納秒級超快時間響應特性,在脈沖輻射探測領域有重要應用。是適合高平均功率和高光束質量發(fā)射的激光材料。上文的介紹,希望能對你有幫助。北京高濃度鐿離子摻雜YbYAG晶體研發(fā)

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