LPCVD設(shè)備的基本原理是利用化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法,在低壓(通常為0.1-10Torr)和高溫(通常為500-1200℃)的條件下,將含有所需元素的氣體前驅(qū)體引入反應(yīng)室,在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成所需的薄膜材料。LPCVD設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)主要有以下幾點(diǎn):(1)由于低壓條件下氣體分子的平均自由程較長,使得氣體在反應(yīng)室內(nèi)的分布更加均勻,從而提高了薄膜的均勻性和重復(fù)性;(2)低壓條件下氣體分子與襯底表面的碰撞頻率較低,使得反應(yīng)速率主要受表面反應(yīng)速率控制,從而提高了薄膜的純度和結(jié)晶性;(3)低壓條件下氣體分子與反應(yīng)室壁面的碰撞頻率較低,使得反應(yīng)室壁面上沉積的材料較少,從而降低了顆粒污染和清洗頻率;真空鍍膜能賦予材料特殊的光學(xué)性能。ITO鍍膜真空鍍膜公司
熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下,使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和濕法氧化,干法氧化是在硅片表面通入氧氣,硅片與氧化反應(yīng)生成氧化硅,氧化速率比較慢,氧化膜厚容易控制。濕法氧化在爐管當(dāng)中通入氧氣和氫氣,兩者反應(yīng)生長水蒸氣,水蒸氣與硅片表面反應(yīng)生長氧化硅,濕法氧化,速率比較快,可以生長比較厚的薄膜。直流(DC)磁控濺射與氣壓的關(guān)系-在一定范圍內(nèi)提高離化率(盡量小的壓強(qiáng)下維持高的離化率)、提高均勻性要增加壓強(qiáng)和保證薄膜純度、提高薄膜附著力要減小壓強(qiáng)的矛盾,產(chǎn)生一個(gè)平衡。提供一個(gè)額外的電子源,而不是從靶陰極獲得電子。實(shí)現(xiàn)低壓濺射(壓強(qiáng)小于0.1帕)。射頻(RF)磁控濺射特點(diǎn)-射頻方法可以被用來產(chǎn)生濺射效應(yīng)的原因是它可以在靶材上產(chǎn)生自偏壓效應(yīng)。在射頻濺射裝置中,擊穿電壓和放電電壓明顯降低。不必再要求靶材一定要是導(dǎo)電體。貴金屬真空鍍膜公司LPCVD設(shè)備可以沉積多種類型的薄膜材料,如多晶硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅等。
鍍膜設(shè)備的精度和穩(wěn)定性是決定鍍膜均勻性的關(guān)鍵因素。設(shè)備的加熱系統(tǒng)、蒸發(fā)源、冷卻系統(tǒng)以及基材旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)等部件的性能都會(huì)對鍍膜均勻性產(chǎn)生影響。因此,定期對鍍膜設(shè)備進(jìn)行維護(hù)和校準(zhǔn),確保其處于合理工作狀態(tài)至關(guān)重要。同時(shí),采用高精度、高穩(wěn)定性的鍍膜設(shè)備也是提升鍍膜均勻性的重要手段。例如,磁控濺射鍍膜機(jī)通過施加直流或射頻電壓在靶材和基片之間產(chǎn)生電場,使惰性氣體電離形成等離子體,磁場的作用是將電子限制在靶材附近,增加電子與氣體原子的碰撞幾率,從而產(chǎn)生更多的離子。這些離子轟擊靶材,使靶材原子濺射出來,并沉積在基片上形成薄膜,提高了濺射速率和膜層均勻性。
在不同的鍍膜應(yīng)用中,反應(yīng)氣體發(fā)揮著不同的作用。以下是一些典型的應(yīng)用實(shí)例:濺射鍍膜:在濺射鍍膜中,惰性氣體(如氬氣)常作為工作氣體使用。它通過被電場加速并轟擊靶材來產(chǎn)生濺射效應(yīng),從而將靶材原子或分子沉積到基材表面形成薄膜。同時(shí),惰性氣體還可以防止靶材與基材之間的化學(xué)反應(yīng)發(fā)生,從而確保鍍膜成分的純凈性。蒸發(fā)鍍膜:在蒸發(fā)鍍膜中,反應(yīng)氣體通常用于與蒸發(fā)源材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并生成所需的化合物薄膜。例如,在制備金屬氧化物薄膜時(shí),氧氣作為反應(yīng)氣體與蒸發(fā)源金屬發(fā)生氧化反應(yīng)并生成氧化物薄膜。通過精確控制氧氣的流量和壓力等參數(shù),可以優(yōu)化鍍膜過程并提高鍍膜質(zhì)量?;瘜W(xué)氣相沉積技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體。
首先,通過一個(gè)電子槍生成一個(gè)高能電子束。電子槍一般包括一個(gè)發(fā)射電子的熱陰極(通常是加熱的鎢絲)和一個(gè)加速電子的陽極。電子槍的工作是通過電場和磁場將電子束引導(dǎo)并加速到目標(biāo)材料。電子束撞擊目標(biāo)材料,將其能量轉(zhuǎn)化為熱能,使目標(biāo)材料加熱到蒸發(fā)溫度。蒸發(fā)的材料原子或分子在真空中飛行到基板表面,并在那里冷凝,形成薄膜。因?yàn)檫@個(gè)過程在真空中進(jìn)行,所以蒸發(fā)的原子或分子在飛行過程中基本不會(huì)與其他氣體分子相互作用,這有助于形成高質(zhì)量的薄膜。與其他低成本的PVD工藝相比,電子束蒸發(fā)還具有非常高的材料利用效率。電子束系統(tǒng)加熱目標(biāo)源材料,而不是整個(gè)坩堝,從而降低了坩堝的污染程度。通過將能量集中在目標(biāo)而不是整個(gè)真空室上,它有助于減少對基板造成熱損壞的可能性。可以使用多坩堝電子束蒸發(fā)器在不破壞真空的情況下應(yīng)用來自不同目標(biāo)材料的幾層不同涂層,使其很容易適應(yīng)各種剝離掩模技術(shù)。使用CVD的方式進(jìn)行沉積氧化氮化硅(SiOxNy)與氮化硅(SiNx)能有效提高鈍化發(fā)射極和后極電池效率。馬鞍山來料真空鍍膜
真空鍍膜過程中需確保鍍膜均勻性。ITO鍍膜真空鍍膜公司
通常在真空鍍膜中制備的薄膜與襯底的粘附主要與一下幾個(gè)因素有關(guān):1.襯底表面的清潔度;2.制備時(shí)腔體的本底真空度;3.襯底表面的預(yù)處理。襯底的清潔度會(huì)嚴(yán)重影響薄膜的粘附力,也可能導(dǎo)致制備的薄膜在臟污處出現(xiàn)應(yīng)力集中甚至導(dǎo)致開裂;設(shè)備的本底真空也是影響粘附力的重要5因素,對于磁控濺射來說,通常要保證設(shè)備的本底真空盡量低于5E-6Torr;對于某些襯底表面,通??梢允褂玫入x子體對其進(jìn)行預(yù)處理,也能很大程度增加薄膜的粘附力。ITO鍍膜真空鍍膜公司