針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)實現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開關(guān)損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。柔性電子：曲面 OLED 驅(qū)動電路漏電降 70%，彎曲半徑達 1mm，適配可穿戴設(shè)備。吉林光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

單細胞分選需要復(fù)雜的流體動力學(xué)控制結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻難以實現(xiàn)多尺度結(jié)構(gòu)集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區(qū)與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內(nèi)。某細胞生物學(xué)實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達 98%，較傳統(tǒng)流式細胞儀體積縮小 90%。該技術(shù)已應(yīng)用于循環(huán)tumor細胞檢測，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關(guān)設(shè)備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。廣東德國桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化成本效益：單次曝光成本低于傳統(tǒng)光刻 1/3，小批量研發(fā)更經(jīng)濟。

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設(shè)計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺重復(fù)性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復(fù)雜圖案設(shè)計，內(nèi)置高性能筆記本實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區(qū)域，壓電驅(qū)動提升掃描速度。

某智能機器人實驗室采用 Polos 光刻機制造了磁控微納機器人。其激光直寫技術(shù)在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結(jié)構(gòu)，機器人在旋轉(zhuǎn)磁場下的推進速度達 50μm/s，轉(zhuǎn)向精度小于 5°。通過自定義三維運動軌跡，該機器人在微流控芯片中成功實現(xiàn)了單個紅細胞的捕獲與轉(zhuǎn)運，操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設(shè)計（質(zhì)量 < 1μg）還支持在活細胞表面進行納米級手術(shù)，相關(guān)成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術(shù)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會?？焖僮詣訉梗洪]環(huán)對焦系統(tǒng)1秒完成，多層半自動對準提升實驗效率。河南德國PSP-POLOS光刻機分辨率1.5微米

技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。吉林光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%?；诖四０迳a(chǎn)的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。吉林光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模