同時(shí)，微光顯微鏡（EMMI）帶來的高效失效分析能力，能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段，快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題，可避免研發(fā)過程中的反復(fù)試錯(cuò)，加快產(chǎn)品從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)的速度。當(dāng)市場(chǎng)需求瞬息萬變時(shí)，更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場(chǎng)需求的產(chǎn)品，搶占市場(chǎng)先機(jī)。例如，在當(dāng)下市場(chǎng) 5G 芯片、AI 芯片等領(lǐng)域，技術(shù)迭代速度極快，誰能更早解決研發(fā)中的失效難題，誰就能在技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中爭(zhēng)先一步，建立起差異化的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。針對(duì)光器件，能定位光波導(dǎo)中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點(diǎn)，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡方案設(shè)計(jì)

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對(duì)芯片進(jìn)行正面檢測(cè)（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測(cè)）與背面檢測(cè)（透過硅襯底觀測(cè)），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測(cè)角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點(diǎn)（如微米級(jí)甚至納米級(jí)缺陷）。在實(shí)際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIRCH的協(xié)同掃描定位可疑區(qū)域，隨后結(jié)合去層處理（逐層去除芯片的金屬布線層、介質(zhì)層等）、掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察，進(jìn)一步界定缺陷的物理形態(tài)（如金屬線腐蝕、氧化層剝落、晶體管柵極破損等），終追溯失效機(jī)理（如電遷移、熱載流子注入、工藝污染等）并完成根因分析。這種“定位-驗(yàn)證-溯源”的完整閉環(huán)，使得PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件與集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了關(guān)鍵的應(yīng)用。國(guó)產(chǎn)微光顯微鏡運(yùn)動(dòng)通過與光譜儀聯(lián)用，可分析光子的光譜信息，為判斷缺陷類型提供更多依據(jù)，增強(qiáng)分析的全面性。

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設(shè)備，在維護(hù)成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。對(duì)于分開的兩臺(tái)設(shè)備，企業(yè)需配備專門人員分別學(xué)習(xí)兩套系統(tǒng)的維護(hù)知識(shí)，培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋不同的機(jī)械結(jié)構(gòu)、光學(xué)原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校準(zhǔn)流程，往往需要數(shù)月的系統(tǒng)培訓(xùn)才能確保人員熟練操作，期間產(chǎn)生的培訓(xùn)費(fèi)用、時(shí)間成本居高不下。而使用一套集成設(shè)備只需一套維護(hù)體系，維護(hù)人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護(hù)邏輯與操作規(guī)范，無需在兩套差異化的設(shè)備間切換學(xué)習(xí)，培訓(xùn)周期可縮短近一半，大幅降低了培訓(xùn)方面的人力與資金投入。

通過對(duì)這些微光信號(hào)的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術(shù)，它檢測(cè)的是芯片工作時(shí)因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時(shí)的電阻損耗、電路短路時(shí)的異常功耗，都會(huì)轉(zhuǎn)化為局部溫度的細(xì)微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā)，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域，它能間接推斷電路中的故障點(diǎn)，尤其擅長(zhǎng)發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問題。我司自研含微光顯微鏡等設(shè)備，獲多所高校、科研院所及企業(yè)認(rèn)可使用，性能佳，廣受贊譽(yù)。

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是一款專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測(cè)量身打造的高精度檢測(cè)設(shè)備。該系統(tǒng)搭載先進(jìn)的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測(cè)器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測(cè)靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號(hào)下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設(shè)備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析，為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持，進(jìn)而為半導(dǎo)體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。通過調(diào)節(jié)探測(cè)靈敏度，它能適配不同漏電流大小的檢測(cè)需求，靈活應(yīng)對(duì)多樣的檢測(cè)場(chǎng)景。工業(yè)檢測(cè)微光顯微鏡對(duì)比

我司團(tuán)隊(duì)改進(jìn)算法等技術(shù)，整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng)，價(jià)低且數(shù)據(jù)整理準(zhǔn)、操作便，性價(jià)比高，居行業(yè)先頭。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡方案設(shè)計(jì)

芯片制造工藝復(fù)雜精密，從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的每一個(gè)環(huán)節(jié)都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測(cè)試流程的重要一環(huán)，是攔截不合格產(chǎn)品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測(cè)技術(shù)，能夠捕捉到芯片內(nèi)部因漏電、熱失控等故障產(chǎn)生的微弱發(fā)光信號(hào)，定位微米級(jí)甚至納米級(jí)的缺陷。這種檢測(cè)能力，能幫助企業(yè)快速鎖定問題所在 —— 無論是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質(zhì)、工藝偏差，都能被及時(shí)發(fā)現(xiàn)。這意味著企業(yè)可以針對(duì)性地優(yōu)化生產(chǎn)工藝、改進(jìn)設(shè)計(jì)方案，從而提升芯片良率。在當(dāng)前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉(zhuǎn)化為生產(chǎn)成本的降低，讓企業(yè)在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)更有利的位置。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡方案設(shè)計(jì)