鎖相熱成像系統(tǒng)的組件各司其職，共同保障了系統(tǒng)的高效運(yùn)行?？烧{(diào)諧激光器作為重要的熱源，能夠提供穩(wěn)定且可調(diào)節(jié)頻率的周期性熱激勵(lì)，以適應(yīng)不同被測(cè)物體的特性；紅外熱像儀則如同 “眼睛”，負(fù)責(zé)采集物體表面的溫度場(chǎng)分布，其高分辨率確保了溫度信息的細(xì)致捕捉；鎖相放大器是系統(tǒng)的 “中樞處理器” 之一，專門用于從復(fù)雜的信號(hào)中提取與激勵(lì)同頻的相位信息，過濾掉無關(guān)噪聲；數(shù)據(jù)處理單元?jiǎng)t對(duì)收集到的信息進(jìn)行綜合處理和分析，**終生成清晰、直觀的缺陷圖像。這些組件相互配合、協(xié)同工作，每個(gè)環(huán)節(jié)的運(yùn)作都不可或缺，共同確保了系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率、高對(duì)比度的檢測(cè)效果，滿足各種高精度檢測(cè)需求。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合電激勵(lì)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)電子元件工作狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的過熱或接觸不良問題。實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P10

蘇州致晟光電科技有限公司自主研發(fā)的RTTLIT （實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)），該技術(shù)的溫度靈敏度極高，部分型號(hào)甚至可達(dá) 0.0001℃，功率檢測(cè)限低至 1μW。這意味著它能夠捕捉到極其微弱的熱信號(hào)變化，哪怕是芯片內(nèi)部極為微小的漏電或局部發(fā)熱缺陷都難以遁形。這種高靈敏度檢測(cè)能力在半導(dǎo)體器件、晶圓、集成電路等對(duì)精度要求極高的領(lǐng)域中具有無可比擬的優(yōu)勢(shì)，能夠幫助工程師快速、準(zhǔn)確地定位故障點(diǎn)，較大程度上的縮短了產(chǎn)品研發(fā)和故障排查的時(shí)間。實(shí)時(shí)成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)成像儀非接觸式檢測(cè)在不破壞樣品的情況下實(shí)現(xiàn)成像，適用于各種封裝狀態(tài)的樣品，包括未開封的芯片和PCBA。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測(cè)器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號(hào)捕捉。InSb材料具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實(shí)現(xiàn)高達(dá)nW級(jí)的熱靈敏度和優(yōu)于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測(cè)器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應(yīng)用，提升了空間分辨率（可達(dá)微米量級(jí)）與溫度響應(yīng)線性度，使其能夠?qū)Π雽?dǎo)體器件、微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點(diǎn)遷移和瞬態(tài)熱行為進(jìn)行精細(xì)刻畫。配合致晟光電自主開發(fā)的高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺(tái)，InSb探測(cè)器可在多物理場(chǎng)耦合背景下實(shí)現(xiàn)高時(shí)空分辨的熱場(chǎng)成像，是先進(jìn)電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評(píng)價(jià)中的關(guān)鍵。

電子產(chǎn)業(yè)的電路板老化檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)效果優(yōu)異，為電子設(shè)備的維護(hù)和更換提供了科學(xué)依據(jù)，有效延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。電路板在長(zhǎng)期使用過程中，會(huì)因元件老化、線路氧化、灰塵積累等原因，導(dǎo)致性能下降，可能出現(xiàn)隱性缺陷，如電阻值漂移、電容漏電、線路接觸不良等。這些隱性缺陷在設(shè)備正常工作時(shí)可能不會(huì)立即顯現(xiàn)，但在負(fù)載變化或環(huán)境溫度波動(dòng)時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備故障。通過對(duì)老化的電路板施加適當(dāng)?shù)碾娂?lì)，模擬設(shè)備的工作狀態(tài)，老化缺陷處會(huì)因性能參數(shù)的變化而產(chǎn)生與正常區(qū)域不同的溫度變化。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠檢測(cè)到這些溫度變化，并通過分析溫度場(chǎng)的分布特征，評(píng)估電路板的老化程度和潛在故障風(fēng)險(xiǎn)。例如，在檢測(cè)工業(yè)控制設(shè)備的電路板時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)老化電容周圍的溫度明顯高于正常區(qū)域，提示需要及時(shí)更換電容，避免設(shè)備在運(yùn)行過程中突然故障。電激勵(lì)強(qiáng)度可控，保護(hù)鎖相熱成像系統(tǒng)檢測(cè)元件。

鎖相頻率越高，得到的空間分辨率則越高。然而，對(duì)于鎖相紅外熱成像系統(tǒng)來說，較高的頻率往往會(huì)降低待檢測(cè)的熱發(fā)射。這是許多 LIT系統(tǒng)的限制。RTTLIT系統(tǒng)通過提供一個(gè)獨(dú)特的系統(tǒng)架構(gòu)克服了這一限制，在該架構(gòu)中，可以在"無限"的時(shí)間內(nèi)累積更高頻率的 LIT 數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集持續(xù)延長(zhǎng)，數(shù)據(jù)分辨率提高。系統(tǒng)采集數(shù)據(jù)的時(shí)間越長(zhǎng)，靈敏度越高。當(dāng)試圖以極低的功率級(jí)采集數(shù)據(jù)或必須從弱故障模式中采集數(shù)據(jù)時(shí)，鎖相紅外熱成像RTTLIT系統(tǒng)的這一特點(diǎn)尤其有價(jià)值。鎖相熱成像系統(tǒng)的同步控制模塊需與電激勵(lì)源保持高度協(xié)同，極小的同步誤差都可能導(dǎo)致檢測(cè)圖像出現(xiàn)相位偏移。半導(dǎo)體失效分析鎖相紅外熱成像系統(tǒng)分析

鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵(lì)檢測(cè)效率大幅提升。實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P10

電激勵(lì)參數(shù)的實(shí)時(shí)監(jiān)控對(duì)于鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)檢測(cè)中的準(zhǔn)確性至關(guān)重要，是保障檢測(cè)結(jié)果可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在電子元件檢測(cè)過程中，電激勵(lì)的電流大小、頻率穩(wěn)定性等參數(shù)可能會(huì)受到電網(wǎng)波動(dòng)、環(huán)境溫度變化等因素的影響而發(fā)生微小波動(dòng)，這些波動(dòng)看似細(xì)微，卻可能對(duì)檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生干擾，尤其是對(duì)于高精度電子元件的檢測(cè)。通過實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)對(duì)電激勵(lì)參數(shù)進(jìn)行持續(xù)監(jiān)測(cè)，并將監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)反饋給控制系統(tǒng)，可及時(shí)調(diào)整激勵(lì)源的輸出，確保電流、頻率等參數(shù)始終穩(wěn)定在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)。例如，在檢測(cè)高精度 ADC（模數(shù)轉(zhuǎn)換）芯片時(shí)，其內(nèi)部電路對(duì)電激勵(lì)的變化極為敏感，即使是 0.1% 的電流波動(dòng)，也可能導(dǎo)致芯片內(nèi)部溫度分布出現(xiàn)異常，干擾對(duì)真實(shí)缺陷的判斷。而實(shí)時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)能將參數(shù)波動(dòng)控制在 0.01% 以內(nèi)，有效保障了檢測(cè)的準(zhǔn)確性，為電子元件的質(zhì)量檢測(cè)提供了穩(wěn)定可靠的技術(shù)環(huán)境。實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)P10