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三極管飽和情況，像圖1因?yàn)槭艿诫娮鑂c的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無(wú)限增加下去的。當(dāng)基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時(shí)，三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic。進(jìn)入飽...

開(kāi)關(guān)三極管，在開(kāi)關(guān)電路中，用來(lái)控制電路的開(kāi)啟和關(guān)閉，由加在開(kāi)關(guān)管基極上 脈沖信號(hào)來(lái)控制“短路”和“開(kāi)通”，是一個(gè)無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)。具有壽命長(zhǎng)、安全可靠、沒(méi)有機(jī)械磨損、開(kāi)關(guān)速度快、體積小等特點(diǎn)。開(kāi)關(guān)三極管可以用很小的電流，控制打電流的通斷，有較普遍的應(yīng)用。小功率開(kāi)...

高穩(wěn)定場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝堪稱(chēng)嚴(yán)苛，從源材料的選擇開(kāi)始，就嚴(yán)格把控材料純度，確保晶體結(jié)構(gòu)完美無(wú)缺陷。這一系列嚴(yán)格的工藝措施，極大地降低了參數(shù)漂移的可能性，使其在各類(lèi)復(fù)雜環(huán)境下都能始終保持穩(wěn)定的性能。在精密測(cè)量?jī)x器中，例如原子力顯微鏡，它需要探測(cè)原子級(jí)別的微小結(jié)構(gòu)...

相信大家在安裝設(shè)備時(shí)都需要使用到三級(jí)管，現(xiàn)在市面上的三極管型號(hào)及分類(lèi)非常的多樣化，這里小編要為大家分享的是三級(jí)管作用是什么以及三級(jí)管產(chǎn)品的分類(lèi)有哪些，想要了解的朋友不妨和小編一起來(lái)看看吧！三級(jí)管產(chǎn)品的分類(lèi)有哪些？1、按照材質(zhì)分可分為：硅管和鍺管。2、按照結(jié)構(gòu)分...

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)，一個(gè)工程師可能說(shuō)，"PMOS Vt從0.6V...

多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管在半導(dǎo)體制造工藝中獨(dú)樹(shù)一幟。多晶硅作為柵極材料，其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，與金屬電極巧妙配合，如同精密的指揮家，能夠精細(xì)地調(diào)控溝道電流。在集成電路制造的復(fù)雜環(huán)境里，它展現(xiàn)出了良好的熱穩(wěn)定性與電學(xué)穩(wěn)定性。以電腦 CPU 為例，CPU 內(nèi)部集成了數(shù)十億個(gè)晶體...

二極管，二極管的主要功能就是單向?qū)щ姡簿褪请娏髦荒軓亩O管的一個(gè)方向通過(guò)，反向電流就不讓過(guò)！在我們?nèi)粘Ｉ钪幸灿蓄?lèi)似功能的物品，比如我們小時(shí)候經(jīng)常見(jiàn)到的魚(yú)簍蓋子，通過(guò)這個(gè)蓋子只能放魚(yú)進(jìn)去，魚(yú)卻無(wú)法再跑出來(lái)！也許您會(huì)說(shuō)我從小就在城市里長(zhǎng)大，沒(méi)看到過(guò)魚(yú)簍，不知道...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱(chēng)為Avalanche diode，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時(shí)間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

常見(jiàn)到的是發(fā)紅光、綠光或黃光的發(fā)光二極管，翠綠色是人眼感覺(jué)較舒服的顏色，所以發(fā)翠綠光的發(fā)光二極管使用的較多，同時(shí)價(jià)格也就較便宜，比如手機(jī)上的按鍵燈顏色大多是翠綠色的。每種顏色的發(fā)光二極管內(nèi)阻是不同的，這就造成了同樣電壓和電流情況下，發(fā)出的光線(xiàn)強(qiáng)度不同，比如電路...

作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過(guò)四步來(lái)選擇正確的MOSFET。溝道的選擇。為設(shè)計(jì)選擇正確器件的頭一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線(xiàn)電 壓上時(shí)，該...

您對(duì)三極管工作原理、三極管放大電路原理和三極管的作用這些知識(shí)了解嗎？本文將要為大家介紹三極管的作用的相關(guān)知識(shí)，如果您對(duì)這些知識(shí)感興趣的話(huà)，那本文就再適合您不過(guò)了。接著就和我一同去了解三極管的相關(guān)信息和資料吧！三極管工作原理。晶體三極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)三極管)按材料分...

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)管用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。LED驅(qū)動(dòng)：場(chǎng)效應(yīng)管用于LED驅(qū)動(dòng)電路中，提供恒流源以保證LED的穩(wěn)定亮度。場(chǎng)效應(yīng)管的這些應(yīng)用展示了其在現(xiàn)代電子技術(shù)中的多樣性和重要性。通過(guò)選擇合適的場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型和設(shè)計(jì)合適的電路，可以實(shí)現(xiàn)...

金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MESFET），其結(jié)構(gòu)獨(dú)特之處在于利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘作為柵極。這種特殊的柵極結(jié)構(gòu)，當(dāng)施加合適的柵源電壓時(shí)，能夠極為精細(xì)地調(diào)控溝道的導(dǎo)電能力。從微觀(guān)層面來(lái)看，高純度的半導(dǎo)體材料使得電子遷移率極高，電子在其中移動(dòng)時(shí)幾乎不受阻礙...

三極管具有三個(gè)工作狀態(tài)，分別為：截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。在模擬電路中可以用這些特性實(shí)現(xiàn)不一樣的功能，在數(shù)字電路中，只有0和1兩個(gè)狀態(tài)，所以數(shù)字電路中三極管主要用作電子開(kāi)關(guān)來(lái)使用，這時(shí)候三極管工作在截止和飽和狀態(tài)，即要么導(dǎo)通，要么斷開(kāi)，就相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)。三極管的...

二極管串聯(lián)的情況。顯然在理想條件下,有幾只管子串聯(lián),每只管子承受的反向電壓就應(yīng)等于總電壓的幾分之一。但因?yàn)槊恐欢O管的反向電阻不盡相同,會(huì)造成電壓分配不均:內(nèi)阻大的二極管,有可能由于電壓過(guò)高而被擊穿,并由此引起連鎖反應(yīng),逐個(gè)把二極管擊穿。在二極管上并聯(lián)的電阻R...

晶體三極管的種類(lèi)：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話(huà)，相對(duì)延時(shí)太多，且...

搭建如下電路，使集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。反向偏置的集電結(jié)在外部電場(chǎng)的幫助下變寬，同時(shí)正向偏置的發(fā)射結(jié)，由于內(nèi)部電場(chǎng)被削弱，自由電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，發(fā)射區(qū)內(nèi)部的大量自由電子擴(kuò)散到了基區(qū)，被集電結(jié)的內(nèi)部電場(chǎng)捕獲，被電場(chǎng)加速送到了集電結(jié)，集電區(qū)內(nèi)部的自由電子被反向偏置...

瞬態(tài)抑制二極管(TVS管)，瞬態(tài)電壓抑制二極管英文名稱(chēng)為T(mén)ransient Voltage Suppressor，簡(jiǎn)稱(chēng)TVS，它是一種高效保護(hù)器件的一種二極管。當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高...

馬達(dá)控制應(yīng)用馬達(dá)控制應(yīng)用是功率MOSFET大有用武之地的另一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。典型的半橋式控制電路采用2個(gè)MOSFET (全橋式則采用4個(gè))，但這兩個(gè)MOSFET的關(guān)斷時(shí)間(死區(qū)時(shí)間)相等。對(duì)于這類(lèi)應(yīng)用，反向恢復(fù)時(shí)間(trr) 非常重要。在控制電感式負(fù)載(比如馬達(dá)繞...

結(jié)型場(chǎng)管腳識(shí)別，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，源極和漏極分別對(duì)應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電極。將萬(wàn)用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測(cè)量每?jī)蓚€(gè)管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個(gè)管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時(shí)，則這兩個(gè)管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個(gè)...

普通二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，即將一個(gè)PN結(jié)加一兩條電極引線(xiàn)做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線(xiàn)稱(chēng)為正極或陽(yáng)極，N型區(qū)的引出線(xiàn)稱(chēng)為負(fù)極或陰極，如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種，它們的正向?qū)妷海≒N結(jié)電壓）差別較大，鍺管為0.2～0....

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)...

三極管的作用：代換，三極管的作用之四就是代換作用，在一定情況下與某些電子元器件相結(jié)合可代換其它器件，完成相應(yīng)功能。比如：兩只三極管串聯(lián)可代換調(diào)光臺(tái)燈中的雙向觸發(fā)二極管;在某些電路中，三極管可以代換8V的穩(wěn)壓管，代換30V的穩(wěn)壓管等等。三極管的分類(lèi)：1、按材質(zhì)分...

當(dāng)滿(mǎn)足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件，PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開(kāi)啟電壓；NMOS增強(qiáng)型管：...

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原...

開(kāi)關(guān)時(shí)間：場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時(shí)間。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開(kāi)關(guān)時(shí)間有明顯影響，同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開(kāi)關(guān)時(shí)間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開(kāi)關(guān)電路：開(kāi)關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)通和關(guān)斷的電路。放大電路：場(chǎng)效...

我們經(jīng)常看MOS管的PDF參數(shù)，MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗，對(duì)開(kāi)關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流有關(guān)，但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng)，RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜...

三極管主要參數(shù)，三極管的參數(shù)有很多，可以分成三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。1、直流參數(shù)，共發(fā)射極直流放大倍數(shù)：共發(fā)射極電路中，沒(méi)有交流輸入時(shí)，集電極電流與基極電流之比；集電極-基極反向截至電流：發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極上加有規(guī)定的反向偏置電壓，此時(shí)的集電極...

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽(yáng)極側(cè)施加正電壓，陰極側(cè)施加負(fù)電壓，這樣就稱(chēng)為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導(dǎo)體被注入電子，P型半導(dǎo)體被注入空穴。這樣一來(lái)，讓多數(shù)載流子過(guò)剩，耗盡層縮小、消滅，正負(fù)載流子在PN接合部附近結(jié)合并消滅。整體來(lái)...